❏ 主要技术参数
特征
参数
型号
AT-MA6100
AT-MA8100
AT-MAC100
曝光均匀性
≥98%
≥97%
光源
UVLED
(350-450nm)
曝光能量密度
5-50mW/cm2
分辨率
3μm
套刻精度
±1μm
±1.5μm
掩模尺寸
5/7英寸
7/9英寸
9/14英寸
晶元尺寸
4/6英寸
6/8英寸
8/12英寸
生产效率
140 WPH
120 WPH
100 WPH