全自动接近式掩模光刻机

全自动接近式掩模光刻机AT-MA是面向12英寸及以下中小基底的掩模曝光机,满足先进封装,化合物半导体,功率器件,LED,传感器和MEMS等领域光刻工艺需求。

 

 主要技术参数

 

特征

参数

参数

参数

型号

AT-MA6100

AT-MA8100

AT-MAC100

曝光均匀性

≥98%

≥97%

≥97%

光源

UVLED

350-450nm

UVLED

350-450nm

UVLED

350-450nm

曝光能量密度

5-50mW/cm2

5-50mW/cm2

5-50mW/cm2

分辨率

3μm

3μm

3μm

套刻精度

±1μm

±1μm

±1.5μm

掩模尺寸

5/7英寸

7/9英寸

9/14英寸

晶元尺寸

4/6英寸

6/8英寸

8/12英寸

生产效率

140 WPH

120 WPH

100 WPH