全自动接近式掩模光刻机
全自动接近式掩模光刻机AT-MA是面向12英寸及以下中小基底的掩模曝光机，满足先进封装，化合物半导体，功率器件，LED，传感器和MEMS等领域光刻工艺需求。
❏ 主要技术参数
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特征 |
参数 |
参数 |
参数 |
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型号 |
AT-MA6100 |
AT-MA8200 |
AT-MAC100 |
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曝光均匀性 |
≥98% |
≥97% |
≥97% |
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光源 |
UVLED （350-450nm） |
UVLED （350-450nm） |
UVLED （350-450nm） |
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曝光能量密度 |
5-50mW/cm2 |
5-50mW/cm2 |
5-50mW/cm2 |
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分辨率 |
3μm（接近式） 1μm（接触式） |
3μm（接近式） 1μm（接触式） |
3μm（接近式） 1.5μm（接触式） |
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正面套刻精度 |
±1μm |
±1μm |
±1.5μm |
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背面套刻精度 |
±1.5μm |
±1.5μm |
±2μm |
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掩膜版尺寸 |
5/7英寸 |
5/6/7/9英寸 |
9/14英寸 |
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晶元尺寸 |
4/6英寸 |
3/4/5/6/8英寸 |
8/12英寸 |
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生产效率 |
140 WPH |
120 WPH |
100 WPH |
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预对位图像识别及自动旋转系统 |
旋转角度Q≥±180°旋转精度Q≤0.01° |
旋转角度Q≥±180°旋转精度Q≤0.01° | 旋转角度Q≥±180°旋转精度Q≤0.01° |
| 对位台升降 | 2≥±25mm，三点气悬浮找平 | 2≥±25mm，三点气悬浮找平 | 2≥±25mm，三点气悬浮找平 |
